Indium phosphide (InP 100 – 150 µm)

• Diameter: 50 mm
• Wafer material: InP
• Top Layer : InGaAs : 5 ~6 µm
• Thickness: 130 µm
• Die pitch: 500 µm x 500 µm
• Street width: 43 µm

Results

• Dicing width : < 27 µm
• Burr height : < 7 µm
• UPH : 11